針對芯片自身的差異性，全面升級的溫度控制系統(tǒng)可對芯片的每次升溫進行自動校正和模擬出*優(yōu)的升溫曲線，而非統(tǒng)計學(xué)的擬合曲線升溫，更好地反映熱場實情，準確熱場模擬及*的芯片設(shè)計，實現(xiàn)視窗區(qū)的樣品無漂移升溫加熱，可在升溫過程中實時觀測成像，無需通過移動電子束跟蹤或移動樣品桿進行樣品的熱漂移補償校正。中心位置的樣品始終保持在中軸線上，可保證傾轉(zhuǎn)過程樣品偏移量最小化。三電極電學(xué)模塊，可在透射電鏡中實現(xiàn)液體樣品的電化學(xué)反應(yīng)/加熱過程的實時動態(tài)高分辨晶格成像。經(jīng)過模擬校驗的電極設(shè)計具有電場分布均勻，電位穩(wěn)定等優(yōu)點，并且芯片池內(nèi)的保護性涂層保證了電學(xué)測量的低噪音和準確性，結(jié)合三電極體系設(shè)計（工作電極、參比電極、輔助電極），使得原位電化學(xué)實驗的電極電位穩(wěn)定性好。

  加熱功能可應(yīng)用于：納米催化劑合成、溫致反應(yīng)過程、溶劑過程、活性生物大分子作用過程液相成像、蛋白質(zhì)自組裝及構(gòu)象變化過程成像、細胞中的藥物輸運。

  電化學(xué)功能應(yīng)用于：鋰離子電池材料，超級電容器材料等領(lǐng)域研究。