我們的優(yōu)勢

高分辨率

MEMS微加工工藝，使電化學芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達10nm，極大減少了對電子束的干擾，液相環(huán)境可達到納米級分辨率。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設計方案制約，只能通過液體泵產生的巨大壓力推動大流量液體流經樣品臺及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應進入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。

2．采用納流控技術，通過壓電微控系統(tǒng)進行流體微分控制，實現納升級微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風險。

4．采用超高溫鍍膜技術，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點。

優(yōu)異熱學性能

1．高精密紅外測溫校正，微米級高分辨熱場測量及校準，確保溫度的準確性。

3．超高頻控溫方式，排除導線和接觸電阻的影響，測量溫度和電學參數更精確。

3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料），既是熱導材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關系，加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域，升溫降溫速度快，熱場穩(wěn)定且均勻，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動≤±0.1℃。

4．采用閉合回路高頻動態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃。

5．多級復合加熱MEMS芯片設計，控制加熱過程熱擴散，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實驗的高效觀察。

智能化軟件和自動化設備

1．人機分離，軟件遠程控制實驗條件，全程自動記錄實驗細節(jié)數據，便于總結與回顧。

2．自定義程序升溫曲線?？啥x10步以上升溫程序、恒溫時間等，同時可手動控制目標溫度及時間，在程序升溫過程中發(fā)現需要變溫及恒溫，可即時調整實驗方案，提升實驗效率。

3．內置絕對溫標校準程序，每塊芯片每次控溫都能根據電阻值變化，重新進行曲線擬合和校正，確保測量溫度精確性，保證加熱實驗的重現性及可靠性。

4．全流程配備精密自動化設備，協(xié)助人工操作，提高實驗效率。

團隊優(yōu)勢

1．團隊帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨立設計原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項芯片patent。

3．團隊20余人從事原位液相研究，可提供多個研究方向的原位實驗技術支持。

技術參數

應用案例

Electrochemical dissolution

Electrochemical deposition