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廈門大學(xué)廖洪鋼Angew. Chem.:揭示原子遷移能力對(duì)鈉離子電池陽(yáng)極性能的影響

更新時(shí)間:2023-07-18      點(diǎn)擊次數(shù):1826

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【工作簡(jiǎn)介】

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在鈉離子電池(SIBs)中,低的初始庫(kù)侖效率(ICE)通常是由不可逆的相轉(zhuǎn)化和困難的解吸引起的,尤其是在過渡金屬化合物(TMCs)上。然而,反應(yīng)可逆性差的潛在物理化學(xué)機(jī)制仍然是一個(gè)有爭(zhēng)議的問題。

近日,廈門大學(xué)廖洪鋼教授等團(tuán)隊(duì)通過使用原位透射電子顯微鏡和原位X射線衍射,證明了NiCoP@C是由P在碳層中的快速遷移和放電過程中分離的Na3P的優(yōu)先形成引起的。通過對(duì)碳涂層進(jìn)行改性,抑制了Ni/Co/P原子的遷移,從而提高了ICE和循環(huán)穩(wěn)定性。抑制引起組分分離和快速性能退化的快速原子遷移可能應(yīng)用于廣泛的電極材料,并指導(dǎo)先進(jìn)SIB的發(fā)展。

該成果發(fā)表國(guó)際頂級(jí)期刊《Angewandte Chemie International Edition》上,第一作者是:Zheng Qizheng, Zhou Shiyuan。


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【背景】




鈉離子電池(SIBs)作為大規(guī)模儲(chǔ)能的潛在候選者,近年來已成為一個(gè)熱門話題。最近,過渡金屬化合物(TMCs)已被用作SIB中的高性能陽(yáng)極。在這些材料中,過渡金屬磷化物(TMPs)通常具有500~2400 mA h g?1(MPx+3xNa→ xNa3P+M,M=Ni、Fe、Co等)。目前,大多數(shù)研究人員認(rèn)為,由于Na+擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)緩慢,重復(fù)鈉化/脫鈉過程中體積膨脹巨大,TMCs陽(yáng)極的循環(huán)穩(wěn)定性較差,電池性能中等。因此,人們提出了多種策略,包括納米結(jié)構(gòu)工程、碳涂層、元素?fù)诫s和電解質(zhì)優(yōu)化,這些策略可以在一定程度上提高電化學(xué)性能。

通常,TMPs通常需要與碳基底復(fù)合以增強(qiáng)導(dǎo)電性并抑制電極的體積膨脹。然而,在初始循環(huán)期間仍會(huì)發(fā)生明顯的容量衰減,這導(dǎo)致SIB的初始庫(kù)侖效率(ICE)較低和能量密度下降。到目前為止,用于SIB的TMPs陽(yáng)極僅表現(xiàn)出30%~60%的ICE。因此,確定導(dǎo)致低ICE的關(guān)鍵因素并提出相應(yīng)的SIB商業(yè)化策略至關(guān)重要。

為了更好地理解影響反應(yīng)可逆性的因素并優(yōu)化電化學(xué)性能,本工作構(gòu)建了一系列NiCoP@C具有不同無序碳含量作為SIB的陽(yáng)極。利用原位透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)原子尺度的結(jié)構(gòu)演變和產(chǎn)物分布進(jìn)行了可視化。實(shí)時(shí)觀察表明,不同的原子遷移率會(huì)導(dǎo)致放電產(chǎn)物的分離,從而阻礙隨后的復(fù)合并導(dǎo)致低ICE。同步X射線吸收光譜(XAS)、X射線光電子能譜(XPS)和XRD表征表明,磷在碳中的快速遷移導(dǎo)致放電/充電產(chǎn)物的相分離和不可逆轉(zhuǎn)變。密度泛函理論(DFT)計(jì)算進(jìn)一步證實(shí)了與Ni和Co相比,P在碳中的快速遷移。通過對(duì)具有強(qiáng)錨定位點(diǎn)的涂層碳材料進(jìn)行改性,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)原子遷移速率的調(diào)節(jié)。因此,在1500次循環(huán)后,在100mAg–1下,實(shí)現(xiàn)了1.7倍的ICE改進(jìn)和224 mAhg–1的比容量。

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圖1、其形態(tài)和微觀結(jié)構(gòu)NiCoP@C在300°C下。

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圖2、原位透射電鏡表征NiCoP@C。

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圖3、結(jié)構(gòu)表征。

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圖4、Ni、Co、Na和P原子在a)理想石墨烯上的遷移勢(shì)壘,b)具有一個(gè)孔的石墨烯。插圖顯示了石墨烯上原子的遷移路徑。c) NiCoP@C在100 mA g?1的循環(huán)性能。d) 原子遷移能力影響SIB陽(yáng)極性能的示意圖。

進(jìn)行DFT計(jì)算以研究相分離的形成。簡(jiǎn)化的石墨烯模型用于在局部原子尺度上模擬碳層。首先,我們比較了Ni、Co、P和Na原子在理想石墨烯上遷移能力的差異。通過遷移路徑,我們發(fā)現(xiàn)當(dāng)原子從苯環(huán)中心上方通過C-C鍵遷移到下一個(gè)穩(wěn)定位置時(shí),存在一定的能壘。

Ni/Co/Na/P原子在理想石墨烯上遷移的能壘分別為0.14、0.25、0.10和0.003 eV(圖4a)。與Ni和Co相比,P在石墨烯上的遷移能壘幾乎為零,這是P遷移最快的原因,然后導(dǎo)致相分離。采用簡(jiǎn)化的單孔石墨烯模型模擬無序碳,討論了無序碳對(duì)原子遷移的影響。結(jié)果表明,Ni/Co/P原子在無序碳上的遷移需要克服強(qiáng)吸附,這阻礙了Ni/Co/P原子的遷移。出乎意料的是,無序碳對(duì)Na遷移幾乎沒有影響,顯示出與理想石墨烯類似的遷移屏障(圖4b)。

此外,無序碳與Ni/Co/P原子之間的強(qiáng)相互作用也表現(xiàn)在具有明顯電荷再分配的3D電荷密度差異中。這些理論計(jì)算結(jié)果也與上述實(shí)驗(yàn)表征結(jié)果一致。因此,隨著無序碳的增加,原子遷移被進(jìn)一步抑制,更多的Ni/Co/P組分可以被捕獲在一起,這使得后續(xù)的電荷反應(yīng)更容易,并提高了反應(yīng)的可逆性。從具有兩個(gè)納米孔和不同遷移路徑的石墨烯模型中可以獲得類似的結(jié)論。盡管在該計(jì)算中沒有考慮所有的遷移路徑和碳的無序度,但上述結(jié)果足以說明元素在碳層上的不同遷移速率以及無序碳對(duì)Ni/Co/P原子遷移的錨定作用。



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【結(jié)論】


本工作構(gòu)建了一個(gè)碳涂層NiCoP@C用于SIB的陽(yáng)極。通過使用原位TEM,可視化了反應(yīng)過程中無序碳對(duì)電極結(jié)構(gòu)演變的影響。

與以前的觀點(diǎn)不同,本工作證明無序碳的增加不會(huì)影響Na的脫出。相反,無序程度越高的碳可以抑制活性元素(Ni/Co/P原子)的原子遷移,提高反應(yīng)的可逆性。結(jié)合EXAFS、原位XRD和XPS結(jié)果,放電產(chǎn)物Na3P的相分離應(yīng)該是低ICE和電池性能差的原因。

DFT計(jì)算進(jìn)一步表明,與Ni和Co相比,P需要zuidi的遷移能壘,這導(dǎo)致了Na3P的孤立分布。最后,通過無序碳對(duì)原子遷移的限制,在1500次循環(huán)后,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.7倍的ICE改進(jìn)和在100mA g-1下224mA h g-1的比容量。這些發(fā)現(xiàn)為原子遷移誘導(dǎo)的不可逆反應(yīng)和電極性能的快速降解提供了新的見解。了解原子遷移調(diào)節(jié)的基本機(jī)制有助于建立先進(jìn)的儲(chǔ)能系統(tǒng)。

Unveiling Atom Migration Abilities Affected Anode Performance of Sodium-Ion Batteries

Qizheng Zheng, Shiyuan Zhou, Shi Tang, Hongbin Zeng, Yonglin Tang, Zhengang Li, Sangui Liu, Liangping Xiao, Ling Huang, Yu Qiao, Shi-Gang Sun, Honggang Liao









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